Portas lógicas NAND De entrada quádruplas 74HC00N DIP14 NXP
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Portas lógicas NAND De entrada quádruplas 74HC00N DIP14 NXP

T0050

Microcontrolador fabricado por NXP em DIP14 ntergle com 14 pinos.

NXP
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Microcontrolador fabricado por NXP em DIP14 nlíster com 14 pinos.

Característica de 74HC00N DIP14 Quad Entry NAND Logic Doors NXP:

  • Bolha: DIP14
  • Número de pinos: 14
  • Pin-between-pin: 2.54mm
  • Fabricante: NXP
  • Tensão de entrada VDC: 2 - 6 VDC
  • Tensão de entrada de alto nível V(IH): 1.2 - 3.2 VDC
  • Tensão de entrada de baixo nível V(IL): 0.8 - 2.8 VDC
  • Tensão de entrada V(I): 0 - 6 VDC
  • Tensão de saída V(O): 0 - 6 VDC
  • Tensão de saída de alto nível V(OH): 2 - 6 VDC
  • Tensão de saída de baixo nível V(OL): 0 - 0,16 VDC
  • Corrente de vazamento I(I): 1'1'4A'
  • Potência atual I(DC): 40'1'4A'
  • Temperatura de operação: -40oC a 125oC
  • Temperatura de armazenamento: -40oC a 125oC

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- Tensão (amarela) 1.8V-2.3V
- Tensão (azul) 3.0V-3.2V
- Tensão (branca) 3,2V - 3,4V
- Onode (A): Positivo (perna longa): 17mm
- Cátodo (K): Negativo (perna mais curta): 15 mm
- Temperatura de operação: -25oC / 80oC
- Temperatura de soldagem: +260oC
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- Bolha: DIP14
- Número de pinos: 14
- Passo entre pinos: 2,54mm
- Fabricante: da China - Tensão de entrada VDD: 2 - 6 VDC
- Tensão de entrada de alto nível V(IH): 1.5 - 4.2 VDC
- Tensão de entrada de baixo nível V(IL): 0,5 - 1,8 VDC
- Tensão de saída de alto nível V(OH): 1.9 - 5,68 VDC - Tensão de saída de baixo nível V(OL máx): 0,1 - 0,33 VDC - Entrada/saída de diodo I(K): 20 mAA
- Corrente de saída I(O): 25 mA
- Corrente de terra I(DC): 50 mA
- Corrente ativa do dispositivo I (CC estático): 1 - 10 A
- Entrada atual I(IN): 0.1 - 1 A - Temperatura de operação: -40oC a 85oC
- Temperatura de armazenamento: -65oC a 150oC

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- Bolha: DIP14
- Número de pinos: 14
- Passo entre pinos: 2,54mm
- Fabricante: da China - VCC de tensão de entrada: 4.75 - 5.25 VDC
- Tensão de entrada de alto nível V(IH): 2 VDC
- Tensão de entrada de baixo nível V(IL): 0,8 VDC
- Tensão do diodo do grampo de entrada V(IK): -1.5 - -0,65 VDC
- Tensão de saída de alto nível V(OH): 2,7 - 3,5 VDC
- Tensão de saída de baixo nível V(OL): 0,35 - 0,5 VDC - Corrente de entrada de alto nível I(IH): 20 A - 0,1 mA
- Corrente de entrada de baixo nível I(IL): -1.2 - -0,4 mA
- Alta potência de saída atual I(OH): - 0,4 mA
- Corrente de saída de baixo nível I(OL): 8,0 mA
- Curto-circuito atual I(OS): -100- -20 mA
- Corrente de potência de alto nível I(DC): 2,4 mA
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