74HC00N DIP14 Cuádruple Entrada Puertas Lógicas Positivas NAND Texas Instrument
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74HC00N DIP14 Cuádruple Entrada Puertas Lógicas Positivas NAND Texas Instrument

T0049

- Blíster: DIP14
- Número de pines: 14
- Paso entre pines: 2.54 mm
- Fabricante: Texas Instrument - Tensión de entrada VCC: 2 - 6 VDC
- Tensión de entrada de alto nivel V(IH): 1.5 - 4.2 VDC
- Tensión de entrada de bajo nivel V(IL): 0.5 - 1.8 VDC
- Tensión de entrada V(I): 0 - 6 VDC
- Tensión de salida V(O): 0 - 6 VDC
- Tensión de salida de alto nivel V(OH): 1.9 - 5.9 VDC
- Tensión de salida de bajo nivel V(OL): 0.1 - 0.33 VDC - Corriente de fuga I(I) : ± 1000 nA
- Corriente de alimentación I(CC): 20 mA - Temperatura de funcionamiento: -40°C a 85°C
- Temperatura de almacenamiento: -65°C a 150°C    

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Característica de 74HC00N DIP14 Cuádruple Entrada Puertas Lógicas Positivas NAND Texas Instrument :

- Blíster: DIP14
- Número de pines: 14
- Paso entre pines: 2.54 mm
- Fabricante: Texas Instrument

- Tensión de entrada VCC: 2 - 6 VDC
- Tensión de entrada de alto nivel V(IH): 1.5 - 4.2 VDC
- Tensión de entrada de bajo nivel V(IL): 0.5 - 1.8 VDC
- Tensión de entrada V(I): 0 - 6 VDC
- Tensión de salida V(O): 0 - 6 VDC
- Tensión de salida de alto nivel V(OH): 1.9 - 5.9 VDC
- Tensión de salida de bajo nivel V(OL): 0.1 - 0.33 VDC

- Corriente de fuga I(I) : ± 1000 nA
- Corriente de alimentación I(CC): 20 mA

- Temperatura de funcionamiento: -40°C a 85°C
- Temperatura de almacenamiento: -65°C a 150°C

 

 

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- Paso entre pines: 2.54 mm
- Fabricante: de China - Tensión de entrada VDD: 4.75 - 5.25 VDC
- Tensión de entrada de alto nivel V(IH): 2 VDC
- Tensión de entrada de bajo nivel V(IL): 0.8 VDC
- Tensión del diodo de abrazadera de entrada V(IK): -1.5 - -0.65 VDC
- Tensión de salida de alto nivel V(OH): 2.4 - 4.2 VDC
- Tensión de salida de bajo nivel V(OL): 0.35 - 0.5 VDC
- Tensión de entrada en estado V(I on): 0.35 - 0.5 VDC
- Tensión de salida fuera de estado V(I off): 15 VDC - Corriente de entrada de alto nivel I(IH): 20 µA - 0.1 mA
- Corriente de entrada de bajo nivel I(IL): -1.2 - -0.4 mA
- Corriente de salida de alto nivel I(OH): - 50 µA
- Corriente de salida de bajo nivel I(OL): 3.2 mA
- Corr

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